sur ma A7N8X E-Deluxe, j’ai actuellement un kit dual twinmos Twister (2*256) en 2-3-3-6 et je voudrais passer en 1024 Mo.
Deux choix possibles :
1 kit 2*512 dans la même qualité (cher)
1 3ème barrette 1*512 de qualité équivalente mariée avec les deux autres(un peu moins cher).
Sachant, qu’à priori, le fait de rajouter une 3ème barrette, contrairement à ce qui a été dit jusqu’à maintenant, permette de conserver l’avantage du dual. Qu’en est-il vraiment ? Le pratiquez-vous ?
Comment, alors, disposer les différentes barrettes ?
Le dual channel c’est la capacité du controleur mémoire à accéder à la ram par “deux entrées” en même temps. En théorie il faut odnc que les deux entrées soient les mêmes mais en fait non.
J’ai eu 3X256 avec 3barettes différentes, le dual marchait très bien :oui:
Pour que le dual soit le plus performant il faut que tu mettes 2X256 // 512. Mais il marcherait aussi en 512+256 // 256, avec un peu moins de gain cependant.
Le dual channel c’est la capacité du controleur mémoire à accéder à la ram par “deux entrées” en même temps. En théorie il faut odnc que les deux entrées soient les mêmes mais en fait non.
J’ai eu 3X256 avec 3barettes différentes, le dual marchait très bien
++1 , c’est peut-etre un bug , non , bon, j’ai rien pour étoffer le commentaire
J’ai testé en 2-3-3-6 et 2-3-3-11 => très peu de différence en lecture comme en écriture. Seul le temps de latence est un peu plus faible dans le second cas (mais vraiment un peu…)
ouais, ne dépasse pas les 2.8v si tu n’a pas un refroidissement adequate pour tes rams ,
passe un mentest a 23311 avec ton vddr d’origine (surment un 2.6v) si il passe 3 cycle , c’est ok
passe a 22311 , si ça plante un coup de vddr
