Bon voilà les résultats de mon OC
A priori stable
Score cpumark99 : 264
SuperPI 1M : 35s
pas d’erreurs sous sp2004 (temp maxi constatée 46°)
temp au repos 29°
Avec EVEREST
Lecture Memoire : 3260 Mo/s
Ecriture Memoire : 947 Mo/s
Latence : 82,0ns
CPU Queen : 2244
CPU Photo : 7900
CPU Zlib : 14796
FPU Julia : 1420
FPU Mandel : 2125
FPU Sin Julia : 1303
je sais pas trop ce que ça veux dire
[color=red]Est-ce qu’au niveau RAM il faut que je fasse qq chose ?
sachant que lors de téléchargement de fichiers Zip , rar exe j’ai beaucoup d’erreurs que j’avais pas avant et il me semble que c’est lié à l’OC[/color]
Ci-dessous les infos dont je dispose
Propriétés du processeur:
Type de processeur AMD Athlon 64
Alias du processeur Venice S939
Stepping du processeur DH-E3
(CPUID) Nom du processeur AMD Athlon� 64 Processor 3500+
(CPUID) Révision 00020FF0h
Vitesse du CPU:
Vitesse d'horloge du processeur [b]2530.9 MHz [/b] (original: 2200 MHz, overclock: 15%)
Multiplicateur du CPU 11.0x
FSB du CPU [b]230.1 MHz[/b] (original: 200 MHz, overclock: 15%)
Bus mémoire 115.0 MHz
DRAM:FSB Ratio CPU/22
Nb : le VCore est à 1.52
Propriétés du chipset:
Chipset de la carte mère nVIDIA nForce4 Ultra, AMD Hammer
Performances mémoire 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Command Rate (CR) 2T
Modules de mémoire SPD:
DIMM1: Kingston K 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)
(2.0-2-2-6 @ 133 MHz)
DIMM2: Kingston K 512 Mo PC3200 DDR SDRAM (3.0-3-3-8 @ 200 MHz) (2.5-3-3-7 @ 166 MHz)
(2.0-2-2-6 @ 133 MHz)
[ North Bridge: AMD Hammer IMC ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge AMD Hammer IMC
Types de mémoire gérés DDR-200 SDRAM, DDR-266 SDRAM, DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM
Révision 00
In-Order Queue Depth 8
Contrôleur mémoire:
Type Dual Channel (128 bits)
Mode actif Dual Channel (128 bits)
Est-ce que je dois faire des modifs là dedans ?
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 8T
Row Cycle Time (tRC) 11T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 14T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 5T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 100 MHz 7.8 us
DQS Skew Control Désactivé(e)
DRAM Drive Strength Normal
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 9.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Activé
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Désactivé(e)
Nb : le voltage est à 2.8
Correction d'erreurs:
ECC Géré, Désactivé(e)
ChipKill ECC Géré, Désactivé(e)
RAID Non géré
DRAM Scrub Rate Désactivé(e)
L1 Data Cache Scrub Rate Désactivé(e)
L2 Cache Scrub Rate Désactivé(e)
Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 512 Mo (PC3200 DDR SDRAM)
Slot DRAM nº2 512 Mo (PC3200 DDR SDRAM)
[ DIMM1: Kingston K ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Kingston K
Numéro de série 7324F428h (687088755)
Date de fabrication Semaine 38 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Kingston Technology Company, Inc.
Information sur le produit [http://www.kingston.com/products/default.asp](http://www.kingston.com/products/default.asp)
[ DIMM2: Kingston K ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Kingston K
Numéro de série 7324FB28h (687547507)
Date de fabrication Semaine 38 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré