dans un SSD on utilise la propriété d’un transistor a retenir l’énergie d’une de ces broches (la grille) pour conservé l’information sauf que en cas d’empilement le conservation d’énergie d’un transistor va influencé le transistor du dessus (ou du dessous) , pour évité sa on utilise une deuxième grille (en dessous en parrallèle) sur ce transistor pour pérénisé la donné en cas d’empilement, cette deuxième grille est appelé grille flottante.
edit : mémoire non volatile plutôt que SSD dans mon explication
flottante parce qu’elle n’est pas obligatoire (pour un usage standard) et qu’elle fais la même chose que celle déjà existante,
ces grilles sont utilisé en même temps style prise multiple mais sur la deuxième l’intensité est moins importante donc influence moins la grille d’à coté (sur l’autre transistor) et pour la lecture on fait la moyenne (électrique) des deux,
un transistor possède 3 broches et pour qu’il soit fonctionnel il faut suffisament d’énergie sur la broche de commande (la grille) mais là dans cette usage on a pas besoin des autres broches donc on peut ce permettre d’avoir une deuxième grille avec une intensité réduite qui ne mettra pas en marche les autres broche du transistor
les 3 broches d’un transistor
le drain
la grille
la source
quand la grille est activé elle permet le passage électrique entre le drain et la source,
comme ce sont des transistor particulier qu’on appel transistor à effet de champ
sur un transistor électronique conventionnelle (non gravé comme mémoire ou processeur) (NPN ou PNP)
ces 3 broches s’appelle
base, émetteur, collecteur
il y a d’autre stratégie comme celle d’intel pour gérer les empilements, une couche de transistor est graver puis on applique un séparateur (isolant) pour graver une nouvelle couche de transistor, chez intel il joue sur la taille et efficacité de l’isolant pour ne pas que les autres couche soit influencé, la solution de micron permet de réduire la taille de l’isolent et donc d’augmenté le nombre de couche pour ne pas obtenir un substrat trop épais et donc couteux mais chaque transistor graver sont plus compliquer à cause de cette deuxième grille et donc demande une meilleur maitrise de la gravure,
chez intel, les mémoires qui utilise des transistors empilé s’appel la 3D XPOINT
Oui, pour un pure profane je ne peux dire, mais j’ai une base en électronique (vieille de 30 ans) et je nage dans l’informatique, alors très clair comme explication.
il faut signalé que l’empilement ce fais majoritairement sur des topologies de transistor « simple » comme la mémoire parce qu’elle est identique partout donc relativement simple à gérer en grande quantité, ce qui ne ce produit pas sur les transistors d’un processeur ou quasiment toutes les zones sont particulière sauf peut être la mémoire cache mais ce serais plus compliqué que la majorité des transistors soit unique et n’empilè qu’une petite zone,
c’est du design architectural, mais a des dimensions de l’ordre du nanomètre,
quand on parle de gravure on ne donne pas la taille du transistor mais de la finesse du masque utilisé pour projeté la lumière (aujourd’hui) de l’uv extrême sur une surface conductrice ou isolante en fonction de la couche que l’on grave qui va ce désagrégé (photo sensible à la longueur d’onde projeté par l’intermédiaire du masque) au contacte de ces uv pour formé la surface gravé
un wafer est une surface ronde de silicium le plus pur possible et on applique dessus des couches de vaporisation d’élément conducteur ou isolant photosensible en fonction d’un masque, à chaque couche sont masque, la taille du wafer est toujours la même adapter à la machine qui va graver, sur cette surface est graver des centaine d’élément mais le masque servant de loupe, ceux au centre ont une précision supérieur, et donc plus susceptible de monter en fréquence parce que cette meilleur qualité de finesse provoque moins de perte par effet joule donc chauffera moins quand il monte en fréquence, ces wafer on quasiement à chaque fois le même tarif divisé par le nombre d’élément graver sur ce wafer avec les éléments centraux plus onéreux que ceux à la périférie, donc le nombre de passage devant un masque et donc l’augmentation d’un nombre de couche n’augmentera pas de manière significative le cout de l’élément graver sauf le temps et les probables déchet du a une mauvaise exposition du masque, puisque il faut un minimum de passage pour une couche et si on multiplie les couche on multiplie aussi le risque d’erreur, à ces dimension les fuites de courant sur un transistor sont problématique et c’est principalement ce qui cause une chauffe exécive du composant d’autant plus avec l’empilement, parce que la couche du dessus va retenir la chaleur généré par la couche du dessous ce qui rend l’élaboration des éléments séparent les couches encore plus complexe
« Top génial d’avoir une telle capacité, maintenant il serait temps de penser à mettre devant une interface un peu plus robuste, voire doublée » dit celui qui a perdu pas mal de data, pas encore backupées, car trop confiant dans cette électronique Sandisk qui marchait bien le soir et n’existait plus le lendemain matin, sans jamais avoir daigné prévenir d’une quelconque anomalie)
Et va backuper 100To car il est bien connu que tu tu as de place, plus tu en mets …
en fait ce que tu doos retenir c’est que ton controleur de SSD ou autre qui veut acceder a de la NAND memory, utilise l’interface 8/16 bits ONFI. qui dans sa version 4.1 support du debit jusqu’a 1.6 Gt/s. pourquoi Transfert et pas Gbps tel qu’on connait? car il depend justement du type de donnees que tu veux transferer. 8 bits de donnee veux dire que tu peux aller jusqu’a environ 8x1.6=12 Gbps rt en 16 bits c’est 16x1.6= environ 25Gbps.
ce que tu vois c’est par canal de communication…
donc si ton controleur implemente plusieurs canaux alors tu multiplies ton debit par le nombre de canaux example 25Gbps x 2 canaux tu arrives a 50 Gbps.
attention ca reste beaucoup de theorie. car quand tu as des canaux en parallele tu accedes a des memoires differentes et donc il te faut tout un software pour gerer les erreurs. la recomposition des informations… qui peux affecter les perf au final mais pas le debit brute de lire l’info.
mais bon j’espere que je t’ai donne un apercu suffisemment clair
